Com ela, os blocos de memória de uma memória flash podem ser subdivididos em partes para armazenar ainda mais dados

A Toshiba revelou hoje novos avanços no estudo de memória flash – aquelas usadas em pendrives e cartões de memória – que vai permitir a criação de dispositivos de armazenamento ainda maiores com custo relativamente baixo.

O segredo está no que chamam de quadruple-level cells, ou células de quatro níveis. Funciona assim: os blocos de memória de uma memória flash podem ser subdivididos em partes para armazenar ainda mais dados. O que se tem por aí hoje são blocos divididos em três, ou seja, com 3 bits, ou ainda com oito níveis de carga (os divididos em dois têm quatro níveis de carga).

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